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Article
Open AccessCharacterization of induced quasi-two-dimensional transport in n-type InxGa1−xAs1 − yBiy bulk layer
The temperature-dependent transport properties of n-type InGaAsBi epitaxial alloys with various do** densities are investigated by conducting magnetoresistance (MR) and Hall Effect (HE) measurements. The ele...
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Article
Open AccessA Cost Effective Solution to an Automated Valet Parking System
Automated Valet Parking Systems (AVPS) relieve the driver of the entire parking process. Many of the systems known today rely on a combination of automotive sensors with sensors of the infrastructure. For this...
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Chapter
Zusammenfassung und Ausblick
Im Rahmen dieser Masterarbeit wurde ein funktionierendes AVP System erarbeitet und entwickelt. In diesem Zusammenhang wurden Anforderungen an das System ermittelt und das System funktional sowie technisch entw...
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Chapter
Motivation und Zielsetzung
Eine Inrix Studie [1] aus dem Jahre 2017 zeigt, dass Kraftfahrzeugführer in Deutschland im Jahr durchschnittlich 41 Stunden damit verbracht haben, einen Parkplatz zu finden. Die zusätzliche Zeit bei der Parkpl...
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Chapter
Anforderungsdefinition, Systementwurf und -eingrenzung
Mithilfe der vorangegangenen Einführung der fundamentalen Konzepte dieser Arbeit kann das AVP System nun entworfen werden. Anhand der gewonnenen Informationen durch die Untersuchung verschiedener Ansätze zur R...
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Chapter
Darstellung der Simulationsergebnisse
Die abschließende Darstellung der Simulationsergebnisse zeigt die Funktionsweise des finalen AVP Systems. Zu diesem Zweck wurden verschiedene Szenarien überprüft. Als Zielparkplatz wurden mittlere und äußere P...
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Chapter
Grundlagen und Vorgehensweise
Dieses Kapitel dient zur Einführung der grundlegenden Aspekte, welche für das Verständnis der darauf folgenden Kapitel notwendig sind. Hierfür werden zunächst AVP Systeme im Allgemeinen definiert, sowie ihre F...
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Chapter
Umsetzung des AVP Systems in der Simulation
Im Folgenden wird das zuvor entworfene AVP System nun in der Simulation umgesetzt und getestet. Wie in Tabelle 2.2 aus Abschnitt 2.2.2.2 dargestellt wird, wird hierzu die open source Software CARLA verwendet. Hie...
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Book
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Article
Open AccessGlobal discovery of lupus genetic risk variant allelic enhancer activity
Genome-wide association studies of Systemic Lupus Erythematosus (SLE) nominate 3073 genetic variants at 91 risk loci. To systematically screen these variants for allelic transcriptional enhancer activity, we c...
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Negative and positive magnetoresistance in GaInNAs/GaAs modulation-doped quantum well structures
In this work, magnetoresistance of as-grown and annealed n- and p-type modulation-doped Ga0.68In0.32NyAs1−y/GaAs single quantum well structures with various nitrogen concentrations has been studied. At low tempe...
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Open AccessMagnetotransport study on as-grown and annealed n- and p-type modulation-doped GaInNAs/GaAs strained quantum well structures
We report the observation of thermal annealing- and nitrogen-induced effects on electronic transport properties of as-grown and annealed n- and p-type modulation-doped Ga1 - xIn x ...
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Article
Open AccessBismuth-induced effects on optical, lattice vibrational, and structural properties of bulk GaAsBi alloys
Bulk GaAs1 - xBi x /GaAs alloys with various bismuth compositions are studied using power- and temperature-dependent photoluminescence (PL), Raman scattering, and atomic force mi...
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Open AccessExcitation energy-dependent nature of Raman scattering spectrum in GaInNAs/GaAs quantum well structures
The excitation energy-dependent nature of Raman scattering spectrum, vibration, electronic or both, has been studied using different excitation sources on as-grown and annealed n- and p-type modulation-doped Ga1 ...
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Open AccessA study of photomodulated reflectance on staircase-like, n-doped GaAs/Al x Ga1−xAs quantum well structures
In this study, photomodulated reflectance (PR) technique was employed on two different quantum well infrared photodetector (QWIP) structures, which consist of n-doped GaAs quantum wells (QWs) between undoped Al ...
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Article
Open AccessAn analysis of Hall mobility in as-grown and annealed n- and p-type modulation-doped GaInNAs/GaAs quantum wells
In this study, we investigate the effect of annealing and nitrogen amount on electronic transport properties in n- and p-type-doped Ga0.68In0.32N y As1 − y/GaAs quantum well (QW)...
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Article
Open AccessThe role of dislocation-induced scattering in electronic transport in GaxIn1-xN alloys
Electronic transport in unintentionally doped GaxIn1-xN alloys with various Ga concentrations (x = 0.06, 0.32 and 0.52) is studied. Hall effect measurements are performed at temperatures between 77 and 300 K. Tem...
