Zusammenfassung
Dargestellt wird die Extraktion der SPICE-Modellparameter des Leistungs-MOS-Feldeffekttransistors IRF 150. Statische Parameter wie die Schwellspannung folgen aus der Auswertung von Gleichstrom-Kennlinien. Die MOSFET-Kapazitäten können mit Messschaltungen bei der Frequenz von 1 MHz oder über die Auswertung der Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung in den drei Grundschaltungen extrahiert werden.
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Literatur
CADENCE: OrCADPSPICE Demo-Versionen 9.2 bis 16.5
Baumann, P., Möller, W.: Schaltungssimulation mit Design Center, Fachbuchverlag Leipzig, (1994)
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Baumann, P. (2024). Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor. In: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-658-43821-0_5
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