Zusammenfassung
Ausgehend von den PMOS- und NMOS-Prozessen in Aluminium-Gate-Technik wird der selbstjustierende NMOS-Prozess mit Polysilizium-Gate vorgestellt. Darauf aufbauend folgt eine detaillierte Erläuterung der CMOS-Prozessführung in n-Wannentechnologie einschließlich der erforderlichen Funktionstests nach der Transistorintegration.
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Literatur
Höfflinger, W.B.: Großintegration. Oldenbourg, München (1978)
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Chen, W.-K.: The VLSI Handbook. CRC Press LLC, Florida (2000)
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Hilleringmann, U. (2023). MOS-Technologien zur Schaltungsintegration. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-658-42378-0_10
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